TK560P60Y,RQ

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	DPAK
基本製品番号	TK560P60
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	DTMOSV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	7A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	560mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 240µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	14.5 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	600 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	380 pF @ 300 V
消費電力(最大)	60W (Tc)
その他の名前	TK560P60YRQ(S TK560P60YRQDKR TK560P60Y,RQ(S TK560P60YRQTR TK560P60YRQCT

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。

他にもお気に入りの製品が見つかりました！