IRF7820TRPBF

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	IRF7820
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	HEXFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	3.7A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	78mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	5V @ 100µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	44 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1750 pF @ 100 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta)
その他の名前	IRF7820TRPBFDKR IRF7820TRPBFCT IRF7820TRPBFTR SP001565562