SI3437DV-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
NOVA部品番号:
312-2282207-SI3437DV-T1-E3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI3437DV-T1-E3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 150 V 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
| 基本製品番号 | SI3437 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.4A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 750mOhm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 510 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 2W (Ta), 3.2W (Tc) | |
| その他の名前 | SI3437DV-T1-E3DKR SI3437DV-T1-E3CT SI3437DV-T1-E3TR SI3437DVT1E3 |
In stock もっと必要ですか。
$0.60940
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
INA180A2IDBVRTexas Instruments
74AUP1T17GWHNexperia USA Inc.
SI1308EDL-T1-GE3Vishay Siliconix
SUD50P10-43L-E3Vishay Siliconix
FDN86246onsemi
SML-D12U1WT86Rohm Semiconductor
SN74AUP1G08DCKTTexas Instruments
SQD40P10-40L_GE3Vishay Siliconix
NTMTSC002N10MCTXGonsemi
SI3437DV-T1-GE3Vishay Siliconix- BSS123NH6327XTSA1Infineon Technologies
- LMV301MG/NOPBTexas Instruments
