FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
NOVA部品番号:
312-2263306-FDB024N08BL7
製造元:
製造メーカー部品番号:
FDB024N08BL7
ひょうじゅんほうそう:
800
技術データシート:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 246W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
| 基本製品番号 | FDB024 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | PowerTrench® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 178 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 13530 pF @ 40 V | |
| 消費電力(最大) | 246W (Tc) | |
| その他の名前 | FDB024N08BL7TR FDB024N08BL7DKR FDB024N08BL7CT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- FDB035N10Aonsemi
- IPB180N08S402ATMA1Infineon Technologies
- PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.
- FDMS86350onsemi
- STH270N8F7-6STMicroelectronics
- IPB032N10N5ATMA1Infineon Technologies
- IPB019N08N3GATMA1Infineon Technologies
- BUK964R2-80E,118Nexperia USA Inc.
- FDMS86105onsemi








