SIUD401ED-T1-GE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 0806
基本製品番号	SIUD401
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET® Gen III
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.573Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	2 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® 0806
Vgs (最大)	±12V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	33 pF @ 15 V
消費電力(最大)	1.25W (Ta)
その他の名前	SIUD401ED-T1-GE3CT SIUD401ED-T1-GE3TR SIUD401ED-T1-GE3DKR

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