TK32E12N1,S1X
MOSFET N CH 120V 60A TO-220
NOVA部品番号:
312-2292154-TK32E12N1,S1X
製造メーカー部品番号:
TK32E12N1,S1X
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
N-Channel 120 V 60A (Tc) 98W (Tc) Through Hole TO-220
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220 | |
| 基本製品番号 | TK32E12 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | U-MOSVIII-H | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 60A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 13.8mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 500µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 34 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 120 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2000 pF @ 60 V | |
| 消費電力(最大) | 98W (Tc) | |
| その他の名前 | TK32E12N1,S1X(S TK32E12N1S1X |
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