SIS126DN-T1-GE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8
基本製品番号	SIS126
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	12A (Ta), 45.1A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	7.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	10.2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	32 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	80 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1402 pF @ 40 V
消費電力(最大)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
その他の名前	SIS126DN-T1-GE3CT SIS126DN-T1-GE3TR SIS126DN-T1-GE3DKR

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