SUD19P06-60-GE3
MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
NOVA部品番号:
312-2280567-SUD19P06-60-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SUD19P06-60-GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-252AA | |
| 基本製品番号 | SUD19 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 18.3A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 40 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1710 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) | |
| その他の名前 | SUD19P06-60-GE3TR SUD19P06-60-GE3CT SUD19P0660GE3 SUD19P06-60-GE3DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SUD19P06-60L-E3Vishay Siliconix
VS-ETU3006S-M3Vishay General Semiconductor - Diodes Division
ES2A-13-FDiodes Incorporated
NP20P06SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
BSS138LT1Gonsemi
AOD409Alpha & Omega Semiconductor Inc.
LTC4020EUHF#PBFAnalog Devices Inc.
1N4148W-7-FDiodes Incorporated
NTD5865NLT4Gonsemi- SUD19P06-60-E3Vishay Siliconix
