SI7456DP-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
NOVA部品番号:
312-2280951-SI7456DP-T1-E3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI7456DP-T1-E3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 5.7A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| 基本製品番号 | SI7456 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 5.7A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25mOhm @ 9.3A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 44 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 消費電力(最大) | 1.9W (Ta) | |
| その他の名前 | SI7456DP-T1-E3CT SI7456DP-T1-E3DKR SI7456DP-T1-E3TR SI7456DPT1E3 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SI7489DP-T1-E3Vishay Siliconix
MIC2920A-5.0WSMicrochip Technology
SI4850EY-T1-E3Vishay Siliconix- SI7456DDP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7461DP-T1-E3Vishay Siliconix
- SI7456DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4840BDY-T1-E3Vishay Siliconix
FDP038AN06A0onsemi
IRLR3410TRPBFInfineon Technologies- SI4850EY-T1-GE3Vishay Siliconix
FDMS86105onsemi
