BSZ110N06NS3GATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TSDSON-8
基本製品番号	BSZ110
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	20A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	11mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 23µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	33 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2700 pF @ 30 V
消費電力(最大)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
その他の名前	BSZ110N06NS3 GDKR-ND SP000453676 BSZ110N06NS3 G BSZ110N06NS3GATMA1TR BSZ110N06NS3GINTR 2156-BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3GINTR-ND BSZ110N06NS3GATMA1DKR BSZ110N06NS3G BSZ110N06NS3GATMA1CT BSZ110N06NS3GINDKR-ND BSZ110N06NS3GINCT BSZ110N06NS3GINCT-ND BSZ110N06NS3 GDKR INFINFBSZ110N06NS3GATMA1