SCT20N120

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
NOVA部品番号:
312-2264996-SCT20N120
製造メーカー部品番号:
SCT20N120
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:

N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元STMicroelectronics
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ HiP247™
基本製品番号 SCT20
テクノロジーSiCFET (Silicon Carbide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 20A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)20V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID 3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 45 nC @ 20 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-247-3
Vgs (最大)+25V, -10V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 650 pF @ 400 V
消費電力(最大) 175W (Tc)
その他の名前497-15170

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