RQ3E075ATTB
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
NOVA部品番号:
312-2285623-RQ3E075ATTB
製造メーカー部品番号:
RQ3E075ATTB
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 30 V 18A (Tc) 15W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-HSMT (3.2x3) | |
| 基本製品番号 | RQ3E075 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 18A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 23mOhm @ 7.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 10.4 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerVDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 930 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 15W (Tc) | |
| その他の名前 | RQ3E075ATTBDKR RQ3E075ATTBCT RQ3E075ATTBTR |
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