BSC010NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
NOVA部品番号:
312-2296999-BSC010NE2LSIATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC010NE2LSIATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | - | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-7 | |
| 基本製品番号 | BSC010 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 38A (Ta), 100A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.05mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 59 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 25 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 4200 pF @ 12 V | |
| 消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 96W (Tc) | |
| その他の名前 | BSC010NE2LSIATMA1DKR BSC010NE2LSIDKR BSC010NE2LSIATMA1TR BSC010NE2LSICT-ND BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1CT BSC010NE2LSIDKR-ND BSC010NE2LSITR-ND BSC010NE2LSI-ND SP000854376 BSC010NE2LSICT |
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