NTLJS3113PT1G
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6WDFN
NOVA部品番号:
312-2299368-NTLJS3113PT1G
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTLJS3113PT1G
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 20 V 3.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) | |
| 基本製品番号 | NTLJS3113 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | µCool™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.5A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 40mOhm @ 3A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 15.7 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 6-WDFN Exposed Pad | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1329 pF @ 16 V | |
| 消費電力(最大) | 700mW (Ta) | |
| その他の名前 | =NTLJS3113PT1GOSCT-ND NTLJS3113PT1GOSTR NTLJS3113PT1GOSCT 2156-NTLJS3113PT1G-OS NTLJS3113PT1GOSDKR NTLJS3113PT1G-ND ONSONSNTLJS3113PT1G |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- NX1610SA-32.768KHZ-EXS00A-MU00658NDK America, Inc.
- PI4MSD5V9546AZYEXDiodes Incorporated
- PCA9306FMUTAGonsemi
- FPF1008onsemi
- SSM3K44MFV,L3FToshiba Semiconductor and Storage
- 74LVC2G126GS,115Nexperia USA Inc.
- DRV2605YZFTTexas Instruments








