SI4838BDY-T1-GE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-SOIC
基本製品番号	SI4838
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	34A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.7mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	84 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	12 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	5760 pF @ 6 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
その他の名前	SI4838BDY-T1-GE3TR SI4838BDY-T1-GE3DKR SI4838BDY-T1-GE3CT SI4838BDYT1GE3