APT9M100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
NOVA部品番号:
312-2264650-APT9M100S
製造メーカー部品番号:
APT9M100S
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:
N-Channel 1000 V 9A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Microchip Technology | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | D3PAK | |
| 基本製品番号 | APT9M100 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | POWER MOS 8™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 9A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.4Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 80 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA | |
| Vgs (最大) | ±30V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1000 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2605 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 335W (Tc) | |
| その他の名前 | 150-APT9M100S |
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