IPP100N08S207AKSA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO220-3-1
基本製品番号	IPP100
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	7.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	200 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-220-3
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	75 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4700 pF @ 25 V
消費電力(最大)	300W (Tc)
その他の名前	IPP100N08S2-07 IPP100N08S2-07-ND 2156-IPP100N08S207AKSA1 INFINFIPP100N08S207AKSA1 SP000219005

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