SISS12DN-T1-GE3

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® 1212-8S
基本製品番号	SISS12
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET® Gen IV
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	37.5A (Ta), 60A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.98mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	89 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (最大)	+20V, -16V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	4270 pF @ 20 V
消費電力(最大)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
その他の名前	SISS12DN-T1-GE3TR SISS12DN-T1-GE3CT SISS12DN-T1-GE3DKR

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