BSC019N04NSGATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-1
基本製品番号	BSC019
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	30A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 85µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	108 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	8800 pF @ 20 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 125W (Tc)
その他の名前	BSC019N04NSGATMA1CT BSC019N04NS GDKR-ND BSC019N04NS GCT BSC019N04NS G-ND BSC019N04NS GTR-ND BSC019N04NSGATMA1CT-NDTR-ND 2156-BSC019N04NSGATMA1 BSC019N04NS G BSC019N04NS GDKR BSC019N04NS GCT-ND BSC019N04NSGATMA1TR BSC019N04NSGATMA1DKR BSC019N04NSGATMA1DKR-NDTR-ND INFINFBSC019N04NSGATMA1 SP000388299

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