AOI409

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Alpha & Omega Semiconductor Inc.
RoHS	1
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-251A
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	26A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	40mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	54 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	3600 pF @ 30 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 60W (Tc)

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