CSD13306W

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Texas Instruments
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	6-DSBGA (1x1.5)
基本製品番号	CSD13306
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	NexFET™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	3.5A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	10.2mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.3V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	11.2 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	6-UFBGA, DSBGA
Vgs (最大)	±10V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	12 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1370 pF @ 6 V
消費電力(最大)	1.9W (Ta)
その他の名前	296-49597-2 296-49597-1 CSD13306W-ND 296-49597-6