TK210V65Z,LQ

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	4-DFN-EP (8x8)
基本製品番号	TK210V65
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	DTMOSVI
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	15A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	210mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 610µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	25 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	4-VSFN Exposed Pad
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1370 pF @ 300 V
消費電力(最大)	130W (Tc)
その他の名前	264-TK210V65Z,LQTR-ND 264-TK210V65Z,LQDKR-ND 264-TK210V65ZLQTR 264-TK210V65Z,LQDKR 264-TK210V65Z,LQCT-ND 264-TK210V65Z,LQCT 264-TK210V65ZLQDKR 264-TK210V65Z,LQTR TK210V65Z,LQ(S 264-TK210V65ZLQCT

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