RQ3E160ADTB

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Rohm Semiconductor
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	8-HSMT (3.2x3)
基本製品番号	RQ3E160
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	16A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	4.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	51 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerVDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2550 pF @ 15 V
消費電力(最大)	2W (Ta)
その他の名前	RQ3E160ADTBCT RQ3E160ADTBTR RQ3E160ADTBDKR

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