SPD15P10PGBTMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO252-3
基本製品番号	SPD15P10
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	15A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	240mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.1V @ 1.54mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	48 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1280 pF @ 25 V
消費電力(最大)	128W (Tc)
その他の名前	SPD15P10P G-ND SPD15P10P G SPD15P10PGBTMA1CT SPD15P10PGBTMA1TR SPD15P10PGBTMA1DKR SP000212233

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