SQJ123ELP-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 12 V (D-S)
NOVA部品番号:
312-2273039-SQJ123ELP-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQJ123ELP-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
P-Channel 12 V 238A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 238A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 180 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® SO-8 | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 12 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 11680 pF @ 6 V | |
| 消費電力(最大) | 375W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SQJ123ELP-T1_GE3CT 742-SQJ123ELP-T1_GE3TR 742-SQJ123ELP-T1_GE3DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
STL30P3LLH6STMicroelectronics
SQJ407EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJ411EP-T1_GE3Vishay Siliconix
IPB80P04P4L04ATMA2Infineon Technologies
SQJ126EP-T1_GE3Vishay Siliconix- SQJ403BEEP-T1_GE3Vishay Siliconix
RD3G07BATTL1Rohm Semiconductor- NP100P04PDG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
SQJQ141EL-T1_GE3Vishay Siliconix
SQD40031EL_GE3Vishay Siliconix
TPH1R712MD,L1QToshiba Semiconductor and Storage
IXTT90P10PIXYS