BSC082N10LSGATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-1
基本製品番号	BSC082
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	13.8A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	8.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.4V @ 110µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	104 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	7400 pF @ 50 V
消費電力(最大)	156W (Tc)
その他の名前	BSC082N10LSGATMA1TR BSC082N10LSGXT SP000379609 BSC082N10LSGATMA1CT-NDTR-ND BSC082N10LS GTR-ND BSC082N10LS GDKR-ND BSC082N10LS GCT-ND BSC082N10LSGATMA1CT BSC082N10LS G-ND BSC082N10LSGATMA1DKR-NDTR-ND BSC082N10LS GCT BSC082N10LSG BSC082N10LS G BSC082N10LS GDKR BSC082N10LSGATMA1DKR