PMZB670UPE,315
MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3
NOVA部品番号:
312-2265064-PMZB670UPE,315
製造メーカー部品番号:
PMZB670UPE,315
ひょうじゅんほうそう:
10,000
技術データシート:
P-Channel 20 V 680mA (Ta) 360mW (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount DFN1006B-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | DFN1006B-3 | |
| 基本製品番号 | PMZB670 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 680mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 850mOhm @ 400mA, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 1.14 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 3-XFDFN | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 87 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 360mW (Ta), 2.7W (Tc) | |
| その他の名前 | 568-10845-2 568-10845-2-ND 568-10845-1 568-10845-1-ND 568-10845-6 PMZB670UPE,315-ND 1727-1380-1 1727-1380-2 934065872315 568-10845-6-ND 1727-1380-6 |
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