IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
NOVA部品番号:
312-2289809-IPB048N15N5LFATMA1
製造メーカー部品番号:
IPB048N15N5LFATMA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
N-Channel 150 V 120A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3 | |
| 基本製品番号 | IPB048 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™-5 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 120A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.8mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.9V @ 255µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 84 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 150 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 380 pF @ 75 V | |
| 消費電力(最大) | 313W (Tc) | |
| その他の名前 | IPB048N15N5LFATMA1-ND IPB048N15N5LFATMA1CT IPB048N15N5LFATMA1TR SP001503860 IPB048N15N5LFATMA1DKR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IPT059N15N3ATMA1Infineon Technologies
SN65HVD1782QDRQ1Texas Instruments
IPB048N15N5ATMA1Infineon Technologies
NTBGS4D1N15MConsemi
INA293B2IDBVRTexas Instruments- OPA170AIDBVTTexas Instruments
PMEG60T50ELPNexperia USA Inc.- IPB033N10N5LFATMA1Infineon Technologies
