DMT10H072LFDFQ-7
MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
NOVA部品番号:
312-2285267-DMT10H072LFDFQ-7
製造メーカー部品番号:
DMT10H072LFDFQ-7
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | U-DFN2020-6 (Type F) | |
| 基本製品番号 | DMT10 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 4A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 62mOhm @ 4.5A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 4.5 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 6-UDFN Exposed Pad | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 228 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 1.8W (Ta) | |
| その他の名前 | 31-DMT10H072LFDFQ-7TR 31-DMT10H072LFDFQ-7DKR 31-DMT10H072LFDFQ-7CT |
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