IRLR024PBF

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	D-Pak
基本製品番号	IRLR024
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	14A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4V, 5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	100mOhm @ 8.4A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID	2V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	18 nC @ 5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (最大)	±10V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	870 pF @ 25 V
消費電力(最大)	42W (Tc)
その他の名前	IRLR024PBFDKR-ND IRLR024PBFDKRINACTIVE IRLR024PBFDKR IRLR024PBFCT IRLR024PBFTRINACTIVE IRLR024PBFTR IRLR024PBFCT-ND IRLR024PBFTR-ND

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