BSC110N15NS5ATMA1

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TDSON-8-7
基本製品番号	BSC110
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	76A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	8V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4.6V @ 91µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	35 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	8-PowerTDFN
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	150 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2770 pF @ 75 V
消費電力(最大)	125W (Tc)
その他の名前	BSC110N15NS5ATMA1-ND SP001181418 BSC110N15NS5ATMA1CT BSC110N15NS5ATMA1DKR BSC110N15NS5ATMA1TR

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