IRF530A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
NOVA部品番号:
312-2274925-IRF530A
製造メーカー部品番号:
IRF530A
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:

N-Channel 100 V 14A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Fairchild Semiconductor
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 14A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 110mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 36 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-220-3
Vgs (最大)-
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 790 pF @ 25 V
消費電力(最大) 55W (Tc)
その他の名前FAIFSCIRF530A
2156-IRF530A

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