EPC2065

GAN FET 80V .0027OHM 8BUMP DIE
NOVA部品番号:
312-2263285-EPC2065
製造元:
製造メーカー部品番号:
EPC2065
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:

N-Channel 80 V 60A (Ta) - Surface Mount Die

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元EPC
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Die
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
シリーズeGaN®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 60A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.5V @ 7mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 12.2 nC @ 5 V
FETの特徴Standard
パッケージ・ケースDie
Vgs (最大)+6V, -4V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)80 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1449 pF @ 40 V
消費電力(最大) -
その他の名前917-EPC2065CT
917-EPC2065DKR
917-EPC2065TR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。