IPP60R190P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
NOVA部品番号:
312-2279107-IPP60R190P6XKSA1
製造メーカー部品番号:
IPP60R190P6XKSA1
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO220-3 | |
| 基本製品番号 | IPP60R190 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | CoolMOS™ P6 | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20.2A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 190mOhm @ 7.6A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.5V @ 630µ | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 600 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1750 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 151W (Tc) | |
| その他の名前 | SP001017066 IPP60R190P6-ND IPP60R190P6 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
RS1MB-13-FDiodes Incorporated
CZRU52C5V6Comchip Technology
IPP60R060C7XKSA1Infineon Technologies- IPP60R190E6XKSA1Infineon Technologies
- SPP20N60C3XKSA1Infineon Technologies
SD103BW-7-FDiodes Incorporated
BZX384-C15,115Nexperia USA Inc.
MM5Z5V6ST1Gonsemi