IXFX180N10
MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
NOVA部品番号:
312-2314455-IXFX180N10
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXFX180N10
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 560W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PLUS247™-3 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 8mOhm @ 90A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 8mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 390 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 10900 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 560W (Tc) | |
| その他の名前 | IXFX180N10-NDR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IXTP180N10TIXYS
MJE15033Gonsemi
IRF530NPBFInfineon Technologies
1SS355TE-17Rohm Semiconductor
FCA35N60onsemi
