TP65H035G4WSQA
650 V 46.5 GAN FET
NOVA部品番号:
312-2299701-TP65H035G4WSQA
製造元:
製造メーカー部品番号:
TP65H035G4WSQA
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
| テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| シリーズ | * | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 47.2A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.8V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1500 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 187W (Tc) | |
| その他の名前 | 1707-TP65H035G4WSQA |
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