DMP1100UCB4-7

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Diodes Incorporated
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	X2-WLB0808-4
基本製品番号	DMP1100
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	2.5A (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.3V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	83mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	800mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	14 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	4-XFBGA, WLBGA
Vgs (最大)	±8V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	12 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	820 pF @ 6 V
消費電力(最大)	670mW (Ta)
その他の名前	DMP1100UCB4-7DICT DMP1100UCB4-7DITR DMP1100UCB4-7DIDKR