SI3407DV-T1-BE3

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MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP

NOVA部品番号:

312-2296698-SI3407DV-T1-BE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI3407DV-T1-BE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

P-Channel 20 V 7.5A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	6-TSOP
基本製品番号	SI3407
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	7.5A (Ta), 8A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	63 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (最大)	±12V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1670 pF @ 10 V
消費電力(最大)	2W (Ta), 4.2W (Tc)
その他の名前	742-SI3407DV-T1-BE3CT 742-SI3407DV-T1-BE3TR 742-SI3407DV-T1-BE3DKR