SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
NOVA部品番号:
312-2265039-SI3460BDV-T1-E3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI3460BDV-T1-E3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 6-TSOP | |
| 基本製品番号 | SI3460 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 8A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 27mOhm @ 5.1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 24 nC @ 8 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| Vgs (最大) | ±8V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 20 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 860 pF @ 10 V | |
| 消費電力(最大) | 2W (Ta), 3.5W (Tc) | |
| その他の名前 | SI3460BDVT1E3 SI3460BDV-T1-E3CT SI3460BDV-T1-E3TR SI3460BDV-T1-E3DKR |
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