BSC252N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON
NOVA部品番号:
312-2281363-BSC252N10NSFGATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC252N10NSFGATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 100 V 7.2A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-1 | |
| 基本製品番号 | BSC252 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 7.2A (Ta), 40A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 25.2mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 43µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 17 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1100 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 78W (Tc) | |
| その他の名前 | BSC252N10NSF GCT BSC252N10NSF GDKR BSC252N10NSF G BSC252N10NSFGATMA1CT BSC252N10NSFGATMA1TR BSC252N10NSFGATMA1DKR SP000379608 BSC252N10NSF G-ND BSC252N10NSF GCT-ND BSC252N10NSF GDKR-ND BSC252N10NSF GTR-ND BSC252N10NSF GTR |
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