FQU8P10TU

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	onsemi
RoHS	1
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ	I-PAK
基本製品番号	FQU8P10
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	QFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	6.6A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	530mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	15 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs (最大)	±30V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	100 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	470 pF @ 25 V
消費電力(最大)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
その他の名前	FQU8P10TU-ND FQU8P10TUOS ONSONSFQU8P10TU 2156-FQU8P10TU-OS

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