2SK2009TE85LF

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カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-59-3
基本製品番号	2SK2009
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	200mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	2.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	1.5V @ 100µA
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	30 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	70 pF @ 3 V
消費電力(最大)	200mW (Ta)
その他の名前	2SK2009TE85LFCT 2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR 2SK2009TE85LFDKR

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