BSC019N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 FL
NOVA部品番号:
312-2263254-BSC019N06NSATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC019N06NSATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 136W (Ta) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8 FL | |
| 基本製品番号 | BSC019 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 1.95mOhm @ 50A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.3V @ 74µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 77 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 60 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5250 pF @ 30 V | |
| 消費電力(最大) | 136W (Ta) | |
| その他の名前 | BSC019N06NSATMA1-ND BSC019N06NSATMA1TR BSC019N06NSATMA1CT BSC019N06NSATMA1DKR SP001407774 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました!
- LTC4372IDD#PBFAnalog Devices Inc.
- DMT8012LSS-13Diodes Incorporated
- DMG2301LK-7Diodes Incorporated
- 19-213USRC/S259/TR8Everlight Electronics Co Ltd
- PDTC115EU,115Nexperia USA Inc.
- SI7113ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
- TLV840MADL30DBVRTexas Instruments
- YC164-JR-074K7LYAGEO
- BSC059N04LS6ATMA1Infineon Technologies
- BSC117N08NS5ATMA1Infineon Technologies









