BSS192PH6327FTSA1
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
NOVA部品番号:
312-2285391-BSS192PH6327FTSA1
製造メーカー部品番号:
BSS192PH6327FTSA1
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-SOT89 | |
| 基本製品番号 | BSS192 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | SIPMOS® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 2.8V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 12Ohm @ 190mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2V @ 130µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 6.1 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-243AA | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 250 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 104 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 1W (Ta) | |
| その他の名前 | BSS192PH6327FTSA1CT SP001047642 BSS192PH6327FTSA1TR BSS192PH6327FTSA1DKR |
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