BSC900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A TDSON-8
NOVA部品番号:
312-2263206-BSC900N20NS3GATMA1
製造メーカー部品番号:
BSC900N20NS3GATMA1
ひょうじゅんほうそう:
5,000
技術データシート:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-5 | |
| 基本製品番号 | BSC900 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 15.2A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 90mOhm @ 7.6A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4V @ 30µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 11.6 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-PowerTDFN | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 920 pF @ 100 V | |
| 消費電力(最大) | 62.5W (Tc) | |
| その他の名前 | BSC900N20NS3GATMA1TR BSC900N20NS3GTR BSC900N20NS3GTR-ND BSC900N20NS3GCT-ND BSC900N20NS3GCT BSC900N20NS3GATMA1CT BSC900N20NS3 G SP000781780 BSC900N20NS3GATMA1DKR BSC900N20NS3GDKR BSC900N20NS3G BSC900N20NS3GDKR-ND |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SISS98DN-T1-GE3Vishay Siliconix
S115FPonsemi
BSC670N25NSFDATMA1Infineon Technologies
AA1608CGSKKingbright
SI7450DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BSC160N15NS5ATMA1Infineon Technologies
SIR616DP-T1-GE3Vishay Siliconix- BSC160N10NS3GATMA1Infineon Technologies
- SI7172ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
- BSC12DN20NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSZ900N15NS3GATMA1Infineon Technologies
- BSC350N20NSFDATMA1Infineon Technologies
LM3480IM3-12/NOPBTexas Instruments
TPH1110FNH,L1QToshiba Semiconductor and Storage
PSMN012-60MSXNexperia USA Inc.