SCTWA90N65G2V
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
NOVA部品番号:
312-2297758-SCTWA90N65G2V
製造メーカー部品番号:
SCTWA90N65G2V
ひょうじゅんほうそう:
30
技術データシート:
N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | STMicroelectronics | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247 Long Leads | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 119A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 24mOhm @ 50A, 18V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 1mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 157 nC @ 18 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
| Vgs (最大) | +22V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3380 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 565W (Tc) | |
| その他の名前 | 497-SCTWA90N65G2V |
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