SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
NOVA部品番号:
312-2282029-SI4435FDY-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI4435FDY-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
P-Channel 30 V 12.6A (Tc) 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 8-SOIC | |
| 基本製品番号 | SI4435 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen III | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 12.6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 19mOhm @ 9A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.2V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | P-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 30 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1500 pF @ 15 V | |
| 消費電力(最大) | 4.8W (Tc) | |
| その他の名前 | SI4435FDY-T1-GE3DKR SI4435FDY-T1-GE3TR SI4435FDY-T1-GE3CT SI4435FDY-T1-GE3-ND |
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