IXTP3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
NOVA部品番号:
312-2289828-IXTP3N120
製造元:
製造メーカー部品番号:
IXTP3N120
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
N-Channel 1200 V 3A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | IXYS | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220-3 | |
| 基本製品番号 | IXTP3 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HiPerFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 4.5Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1350 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 200W (Tc) | |
| その他の名前 | IXTP3N120-NDR |
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