IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
NOVA部品番号:
312-2281545-IPD35N10S3L26ATMA1
製造メーカー部品番号:
IPD35N10S3L26ATMA1
ひょうじゅんほうそう:
2,500
技術データシート:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 | |
| 基本製品番号 | IPD35N10 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | OptiMOS™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 4.5V, 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 24mOhm @ 35A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.4V @ 39µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 39 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 100 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2700 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 71W (Tc) | |
| その他の名前 | IPD35N10S3L26ATMA1CT IPD35N10S3L-26-ND IPD35N10S3L-26 SP000386184 IPD35N10S3L26ATMA1DKR INFINFIPD35N10S3L26ATMA1 IPD35N10S3L26ATMA1TR 2156-IPD35N10S3L26ATMA1 |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
BTS5210LAUMA1Infineon Technologies
TLE42754DATMA1Infineon Technologies
BAT46WJ,115Nexperia USA Inc.
BTS740S2XUMA1Infineon Technologies
BTS50302EKAXUMA1Infineon Technologies
SPB17N80C3ATMA1Infineon Technologies
IPD35N10S3L-26Infineon Technologies
CS4398-CZZRCirrus Logic Inc.
IPD30N10S3L34ATMA1Infineon Technologies
BTS4300SGAXUMA1Infineon Technologies- BTS4175SGAXUMA1Infineon Technologies
- IPD50N10S3L16ATMA1Infineon Technologies
- IFX9201SGAUMA1Infineon Technologies
