SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
NOVA部品番号:
312-2285550-SIS176LDN-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SIS176LDN-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
N-Channel 70 V 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) 3.6W (Ta), 39W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 12.9A (Ta), 42.3A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 3.3V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 10.9mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 1.6V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 19 nC @ 4.5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® 1212-8 | |
| Vgs (最大) | ±12V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 70 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1660 pF @ 35 V | |
| 消費電力(最大) | 3.6W (Ta), 39W (Tc) | |
| その他の名前 | 742-SIS176LDN-T1-GE3TR 742-SIS176LDN-T1-GE3DKR 742-SIS176LDN-T1-GE3CT |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
BSZ099N06LS5ATMA1Infineon Technologies
TSPB5H100STaiwan Semiconductor Corporation
DMT6009LFG-7Diodes Incorporated
SISS76LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
PMEG6030EVPXNexperia USA Inc.
RTR020N05HZGTLRohm Semiconductor
PDS5100-13Diodes Incorporated
13324-T086Sumida America Components Inc.
SIS178LDN-T1-GE3Vishay Siliconix
SM91502ALEBourns Inc.
